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    三菱IGBT模塊一般保存在什么場所
    點擊次數:376 發布時間:2021-01-27
      CM200DU-24H三菱IGBT模塊是一種功率晶體管,運用此種晶體設計之UPS可有效提升產品效能,使電源品質好、效率高、熱損耗少、噪音低、體積小與產品壽命長等多種優點。
     
      CM200DU-24H三菱IGBT模塊主要用于變頻器逆變和其他逆變電路。將直流電壓逆變成頻率可調的交流電。它有陰極,陽極,和控制極。關斷的時候其阻抗是非常大的基本是斷路,接通的時候存在很小的電阻,通過接通或斷開控制極來控制陰極和陽極之間的接通和關斷。
     
      CM200DU-24H三菱IGBT模塊是由MOSFET和雙極型晶體管復合而成的一種器件,其輸入極為MOSFET,輸出極為PNP晶體管,它融和了這兩種器件的優點,既具有MOSFET器件驅動功率小和開關速度快的優點,又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優點,其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間,可正常工作于幾十kHz頻率范圍內,在現代電力電子技術中得到了越來越廣泛的應用,在較高頻率的大、中功率應用中占據了主導地位。
     
      電壓規格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關。其相互關系見下表。使用中當IGBT模塊集電極電流增大時,所產生的額定損耗亦變大。同時,開關損耗增大,使原件發熱加劇,因此,選用時額定電流應大于負載電流。特別是用作高頻開關時,由于開關損耗增大,發熱加劇,選用時應該降等使用。
     
      一般保存的場所,應保持常溫常濕狀態,不應偏離太大。常溫的規定為5~35℃,常濕的規定在45~75%左右。在冬天特別干燥的地區,需用加濕機加濕;
     
      盡量遠離有腐蝕性氣體或灰塵較多的場合;
     
      在溫度發生急劇變化的場所IGBT模塊表面可能有結露水的現象,因此IGBT模塊應放在溫度變化較小的地方;
     
      保管時,須注意不要在IGBT模塊上堆放重物;
     
      裝IGBT模塊的容器,應選用不帶靜電的容器。

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