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    看看造成北京晶閘管損壞的根本原因是什么呢
    點擊次數:204 發布時間:2021-03-23
      北京晶閘管也稱為可控硅整流元件(SCR),是由三個PN結構成的一種大功率半導體器件。在性能上,不僅具有單向導電性,而且還具有比硅整流元件更為可貴的可控性,它只有導通和關斷兩種狀態。
     
      北京晶閘管的優點很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數高達幾十萬倍;反應極快,在微秒級內開通、關斷;無觸點運行,無火花、無噪聲;效率高,成本低等。因此,特別是在大功率UPS供電系統中,在整流電路、靜態旁路開關、無觸點輸出開關等電路中得到廣泛的應用。
     
      弱點:靜態及動態的過載能力較差,容易受干擾而誤導通。
     
      從外形上分類主要有:螺栓形、平板形和平底形。
     
      閘管模塊歸屬于硅元件,硅元件的普遍特征是負載能力差,因此在應用中時常造成損壞的狀況。下面,我們一起來看看損壞的根本原因:
     
      燒壞的原因是由高溫引起的,高溫是由電、熱、結構特性決定的。因此,要保證在開發生產過程中的質量,應從電氣、熱、結構特性三個方面入手,這三個方面緊密相連,密不可分。因此,在開發和生產晶閘管模塊時,應充分考慮其電應力、熱應力和結構應力。燒壞的原因有很多。一般來說,北京晶閘管是在三個因素的共同作用下燒壞的,由于單一特性的下降,很難造成制動管燒壞。因此,我們可以在生產過程中充分利用這一特點,也就是說,如果其中一個應力不符合要求,可以采取措施提高另外兩個應力來彌補。
     
      根據各相的參數,頻繁事故的參數包括電壓、電流、dv/dt、di/dt、漏電、導通時間、關斷時間等。,甚至有時控制電極可能會燒壞。由于各參數性能下降或電路問題,燒損現象各不相同,通過對燒損的解剖可以判斷是哪個參數導致了模塊的燒損。
     
      正常情況下,陰極表面或芯片邊緣有一個小黑點,說明是電壓引起的。電壓導致模塊燒毀可能有兩種原因。一個是模塊電壓故障,也就是我們常說的跌落。電壓故障分為早期故障、中期故障和晚期故障。二是線路情況,造成過電壓,對模塊實行的安全措施失效。
     
      北京晶閘管被電流燒壞時,陰極表面通常會有較大的燒痕,甚至芯片、外殼等金屬大面積熔化。di/dt引起的燒損很容易判斷。一般在澆口或出料口附近會燒出一個小黑點。我們知道,模塊的等效電路是由兩個晶閘管組成,用與門極對應的晶閘管來觸發。目的是在觸發信號到來時放大,然后盡快接通主晶閘管。但是如果短時間內電流過大,主晶閘管沒有完全導通,大電流主要流過相當于門極的晶閘管,但是這個晶閘管的載流能力很小,導致這個燒壞。表面上看,是在閘門或卸料閘門附近燒出的小黑點。對于Dv/dt,并不會燒毀模塊,可是高Dv/dt會使晶閘管模塊誤導通,其表象類似電流燒毀的狀況。

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