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    • PM400DCC330供應三菱IPM功率模塊PM400DCC330

      供應三菱IPM功率模塊PM400DCC330

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      智能IGBT模塊PM100CVA060

      智能IGBT模塊PM100CVA060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成其中,PM100CVA060,IGBT是GTR和MOSFET的復合,由MOSFET驅動GTR,因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。

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    • 三菱IPM PM150RSA060智能IGBT模塊PM150RSA060

      智能IGBT模塊PM150RSA060

      智能IGBT模塊PM150RSA060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成其中,PM150RSA060,IGBT是GTR和MOSFET的復合,由MOSFET驅動GTR,因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。

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    • 三菱IPM PM100RRS060智能IGBT模塊PM100RRS060

      智能IGBT模塊PM100RRS060

      智能IGBT模塊PM100RRS060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成其中,PM100RRS060,IGBT是GTR和MOSFET的復合,由MOSFET驅動GTR,因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。

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    • 三菱IPM PM75CVA060智能IGBT模塊PM75CVA060

      智能IGBT模塊PM75CVA060

      智能IGBT模塊PM75CVA060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成其中,PM75RRA060,IGBT是GTR和MOSFET的復合,由MOSFET驅動GTR,因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。

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    • 三菱IPM PM75RRA060智能IGBT模塊PM75RRA060

      智能IGBT模塊PM75RRA060

      智能IGBT模塊PM75RRA060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成其中,PM75RRA060,IGBT是GTR和MOSFET的復合,由MOSFET驅動GTR,因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。

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    • 三菱IPM PM75CTK060智能IGBT模塊PM75CTK060

      智能IGBT模塊PM75CTK060

      智能IGBT模塊PM75CTK060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成其中,PM75CTK060,IGBT是GTR和MOSFET的復合,由MOSFET驅動GTR,因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。

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    • 三菱IPM PM75RSA060智能IGBT模塊PM75RSA060

      智能IGBT模塊PM75RSA060

      智能IGBT模塊PM75RSA060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成其中,PM75RSA060,IGBT是GTR和MOSFET的復合,由MOSFET驅動GTR,因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。

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    • 三菱IPM PM75CFE060智能IGBT模塊PM75CFE060

      智能IGBT模塊PM75CFE060

      智能IGBT模塊PM75CFE060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成其中,PM75CFE060,IGBT是GTR和MOSFET的復合,由MOSFET驅動GTR,因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。

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    • 三菱IPM PM75RSK060智能IGBT模塊PM75RSK060

      智能IGBT模塊PM75RSK060

      智能IGBT模塊PM75RSK060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成其中,PM75RSK060,IGBT是GTR和MOSFET的復合,由MOSFET驅動GTR,因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。

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    • 三菱IPM PM75CLA060智能IGBT模塊PM75CLA060

      智能IGBT模塊PM75CLA060

      智能IGBT模塊PM75CLA060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成其中,PM75CLA060,IGBT是GTR和MOSFET的復合,由MOSFET驅動GTR,因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。

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    • 三菱IPM PM100CSA060智能IGBT模塊PM100CSA060

      智能IGBT模塊PM100CSA060

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    • 三菱IPM PM100RSA060智能IGBT模塊PM100RSA060

      智能IGBT模塊PM100RSA060

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    • 三菱IPM PM100CLA060智能IGBT模塊PM100CLA060

      智能IGBT模塊PM100CLA060

      智能IGBT模塊PM100CLA060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成其中,PM100CLA060,IGBT是GTR和MOSFET的復合,由MOSFET驅動GTR,因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。

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    • 三菱IPM PM100RLA060智能IGBT模塊PM100RLA060

      智能IGBT模塊PM100RLA060

      智能IGBT模塊PM100RLA060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成其中,PM100RLA060,IGBT是GTR和MOSFET的復合,由MOSFET驅動GTR,因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。

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    • 三菱IPM PM50CBS120智能IGBT模塊PM50CBS120

      智能IGBT模塊PM50CBS120

      智能IGBT模塊PM50CBS120,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成其中,PM50CBS120,IGBT是GTR和MOSFET的復合,由MOSFET驅動GTR,因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。

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    • 三菱IPM PM50CSD120智能IGBT模塊PM50CSD120

      智能IGBT模塊PM50CSD120

      智能IGBT模塊PM50CSD120,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成其中,PM50CSD120,IGBT是GTR和MOSFET的復合,由MOSFET驅動GTR,因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。

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